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HIP6601BECBZA

HIP6601BECBZA

Solo per riferimento

Numero parte HIP6601BECBZA
PNEDA Part # HIP6601BECBZA
Descrizione IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.628
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 12 - apr 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HIP6601BECBZA Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHIP6601BECBZA
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
HIP6601BECBZA, HIP6601BECBZA Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 732,6 KB)
PDFHIP6604BCRZ-T Datasheet Copertura
HIP6604BCRZ-T Datasheet Pagina 2 HIP6604BCRZ-T Datasheet Pagina 3 HIP6604BCRZ-T Datasheet Pagina 4 HIP6604BCRZ-T Datasheet Pagina 5 HIP6604BCRZ-T Datasheet Pagina 6 HIP6604BCRZ-T Datasheet Pagina 7 HIP6604BCRZ-T Datasheet Pagina 8 HIP6604BCRZ-T Datasheet Pagina 9 HIP6604BCRZ-T Datasheet Pagina 10 HIP6604BCRZ-T Datasheet Pagina 11

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HIP6601BECBZA Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione10.8V ~ 13.2V
Tensione logica - VIL, VIH-
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)-
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)15V
Tempo di salita / discesa (tipico)20ns, 20ns
Temperatura di esercizio0°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC-EP

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

6V, 9.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

80ns, 40ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

14-PDIP

LTC4449IDCB

Linear Technology/Analog Devices

Produttore

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4V ~ 6.5V

Tensione logica - VIL, VIH

3V, 6.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3.2A, 4.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

42V

Tempo di salita / discesa (tipico)

8ns, 7ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (2x3)

IXRFD630

IXYS-RF

Produttore

IXYS-RF

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

8V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

30A, 30A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

4ns, 4ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IR2114SSTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT

Tensione - Alimentazione

11.5V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

24ns, 7ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-SSOP (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

24-SSOP

NCD5701ADR2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT

Tensione - Alimentazione

20V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 6A

Tipo di ingresso

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

18ns, 19ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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