HIGFED1BOSA1
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| Numero parte | HIGFED1BOSA1 |
| PNEDA Part # | HIGFED1BOSA1 |
| Descrizione | MODULE IGBT HYBRID PK |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.454 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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HIGFED1BOSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HIGFED1BOSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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HIGFED1BOSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | - |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Potenza - Max | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | - |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
| Input | - |
| Termistore NTC | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Three Phase Inverter Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 20A Potenza - Max 105W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 10A Corrente - Taglio collettore (Max) 1mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 600pF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
Produttore IXYS Serie - Tipo IGBT NPT Configurazione Three Phase Inverter Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 160A Potenza - Max 640W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max) 6.3mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia E3 Pacchetto dispositivo fornitore E3 |
