HGTP5N120BND
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| Numero parte | HGTP5N120BND |
| PNEDA Part # | HGTP5N120BND |
| Descrizione | IGBT 1200V 21A 167W TO220AB |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.424 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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HGTP5N120BND Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HGTP5N120BND |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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HGTP5N120BND Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | NPT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 21A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 40A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 5A |
| Potenza - Max | 167W |
| Switching Energy | 450µJ (on), 390µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 53nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 22ns/160ns |
| Condizione di test | 960V, 5A, 25Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 65ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
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