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HGTP12N60C3D

HGTP12N60C3D

Solo per riferimento

Numero parte HGTP12N60C3D
PNEDA Part # HGTP12N60C3D
Descrizione IGBT 600V 24A 104W TO220AB
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.222
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 3 - dic 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HGTP12N60C3D Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHGTP12N60C3D
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
HGTP12N60C3D, HGTP12N60C3D Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 273,21 KB)
PDFHGTP12N60C3D Datasheet Copertura
HGTP12N60C3D Datasheet Pagina 2 HGTP12N60C3D Datasheet Pagina 3 HGTP12N60C3D Datasheet Pagina 4 HGTP12N60C3D Datasheet Pagina 5 HGTP12N60C3D Datasheet Pagina 6 HGTP12N60C3D Datasheet Pagina 7 HGTP12N60C3D Datasheet Pagina 8 HGTP12N60C3D Datasheet Pagina 9 HGTP12N60C3D Datasheet Pagina 10

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HGTP12N60C3D Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)24A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)96A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 15A
Potenza - Max104W
Switching Energy380µJ (on), 900µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge48nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)40ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

36A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

88A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

Potenza - Max

230W

Switching Energy

1.3mJ (on), 500µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

53nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/90ns

Condizione di test

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

195ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 (IXYH)

IRG4BC20K-SPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

32A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

150µJ (on), 250µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

34nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

28ns/150ns

Condizione di test

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

ISL9V3036P3

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

360V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

21A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 6A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

17nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/4.8µs

Condizione di test

300V, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 12A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

160µJ (on), 90µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

25nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16ns/75ns

Condizione di test

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (IXGA)

GT10J312(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

400ns/400ns

Condizione di test

300V, 10A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220SM

Venduto di recente

BLM21PG221SN1D

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CAT28C64BLI90

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0217005.MXP

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Littelfuse

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NFE31PT222Z1E9L

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IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14DIP

0251001.NRT1L

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MAX3645EEE+

Maxim Integrated

IC AMP LIMITING 16-QSOP

MT28FW02GBBA1HPC-0AAT

MT28FW02GBBA1HPC-0AAT

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IC FLASH 2G PARALLEL 64LBGA

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