HGT1S10N120BNS
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Numero parte | HGT1S10N120BNS |
PNEDA Part # | HGT1S10N120BNS |
Descrizione | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.172 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGT1S10N120BNS Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | HGT1S10N120BNS |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
Datasheet |
HGT1S10N120BNS, HGT1S10N120BNS Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 296,05 KB)
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HGT1S10N120BNS Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | - |
Tipo IGBT | NPT |
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 35A |
Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 80A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
Potenza - Max | 298W |
Switching Energy | 320µJ (on), 800µJ (off) |
Tipo di ingresso | Standard |
Gate Charge | 100nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 23ns/165ns |
Condizione di test | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
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