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HERAF1001G C0G

HERAF1001G C0G

Solo per riferimento

Numero parte HERAF1001G C0G
PNEDA Part # HERAF1001G-C0G
Descrizione DIODE GEN PURP 50V 10A ITO220AC
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.172
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HERAF1001G C0G Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHERAF1001G C0G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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HERAF1001G C0G Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)50V
Corrente - Media Rettificata (Io)10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 10A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F80pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitoreITO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 500mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

110pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

SE20AFGHM3/6B

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.3A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 2A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

1.2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

12pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-221AC, SMA Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-221AC (SlimSMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

B5817X2-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

30µA @ 20V

Capacità @ Vr, F

120pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-79, SOD-523

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-523

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

UH1C-M3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

17pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

VS-HFA08TA60C-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

HEXFRED®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 4A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

155ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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