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HERA808G C0G

HERA808G C0G

Solo per riferimento

Numero parte HERA808G C0G
PNEDA Part # HERA808G-C0G
Descrizione DIODE GEN PURP 8A TO220AC
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.992
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HERA808G C0G Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHERA808G C0G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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HERA808G C0G Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)-
Corrente - Media Rettificata (Io)8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.7V @ 8A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)80ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F55pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Avalanche

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

SOD-64, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-64

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

BAV201-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

250mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 100V

Capacità @ Vr, F

1.5pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-80 Variant

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-80 QuadroMELF

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

SS35HR7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

SB050-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

600mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 600mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5mA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

ACDBAT360-HF

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

180pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

2010

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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