HER303GA-G
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| Numero parte | HER303GA-G |
| PNEDA Part # | HER303GA-G |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AA |
| Produttore | Comchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.744 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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HER303GA-G Risorse
| Brand | Comchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HER303GA-G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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HER303GA-G Specifiche
| Produttore | Comchip Technology |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | DO-201AA, DO-27, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-27 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 23.6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 10A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 40µA @ 650V Capacità @ Vr, F 421pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK-3 (TO-263-3) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
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