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HD1A3M(0)-T1-AZ

HD1A3M(0)-T1-AZ

Solo per riferimento

Numero parte HD1A3M(0)-T1-AZ
PNEDA Part # HD1A3M-0-T1-AZ
Descrizione TRANSISTOR NPN SC62-3
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.850
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HD1A3M(0)-T1-AZ Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHD1A3M(0)-T1-AZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati
Datasheet
HD1A3M(0)-T1-AZ, HD1A3M(0)-T1-AZ Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 506,14 KB)
PDFHD1A3M(0)-T1-AZ Datasheet Copertura
HD1A3M(0)-T1-AZ Datasheet Pagina 2 HD1A3M(0)-T1-AZ Datasheet Pagina 3 HD1A3M(0)-T1-AZ Datasheet Pagina 4 HD1A3M(0)-T1-AZ Datasheet Pagina 5 HD1A3M(0)-T1-AZ Datasheet Pagina 6 HD1A3M(0)-T1-AZ Datasheet Pagina 7 HD1A3M(0)-T1-AZ Datasheet Pagina 8

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HD1A3M(0)-T1-AZ Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
SerieHD1
Tipo di transistorNPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Resistenza - Base (R1)1kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)1kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 1A, 2V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max2W
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-62

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

500mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

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Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-666

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

125mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

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Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

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