HAT2169H-EL-E
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| Numero parte | HAT2169H-EL-E |
| PNEDA Part # | HAT2169H-EL-E |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.870 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 20 - dic 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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HAT2169H-EL-E Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HAT2169H-EL-E |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
HAT2169H-EL-E, HAT2169H-EL-E Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 102,65 KB)
  
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HAT2169H-EL-E Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6650pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK |
| Pacchetto / Custodia | SC-100, SOT-669 |
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