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HAT2038R-EL-E

HAT2038R-EL-E

Solo per riferimento

Numero parte HAT2038R-EL-E
PNEDA Part # HAT2038R-EL-E
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.708
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 12 - apr 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HAT2038R-EL-E Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHAT2038R-EL-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
HAT2038R-EL-E, HAT2038R-EL-E Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 241,97 KB)
PDFHAT2038R-EL-E Datasheet Copertura
HAT2038R-EL-E Datasheet Pagina 2 HAT2038R-EL-E Datasheet Pagina 3 HAT2038R-EL-E Datasheet Pagina 4 HAT2038R-EL-E Datasheet Pagina 5 HAT2038R-EL-E Datasheet Pagina 6 HAT2038R-EL-E Datasheet Pagina 7 HAT2038R-EL-E Datasheet Pagina 8 HAT2038R-EL-E Datasheet Pagina 9 HAT2038R-EL-E Datasheet Pagina 10

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HAT2038R-EL-E Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds520pF @ 10V
Potenza - Max3W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

775mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 570mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 8V

Potenza - Max

270mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88/SC70-6/SOT-363

AUIRF9952Q

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

ZXMC3AM832TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A, 2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 25V

Potenza - Max

1.7W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MLP (3x3)

APTM120TDU57PG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

187nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5155pF @ 25V

Potenza - Max

390W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6-P

DMC25D0UVT-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V, 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

400mA, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

26.2pF @ 10V

Potenza - Max

1.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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