HAT1127HWS-E
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| Numero parte | HAT1127HWS-E |
| PNEDA Part # | HAT1127HWS-E |
| Descrizione | MOSFET P-CH SOP8 |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.436 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 4 - apr 9 (Scegli Spedizione rapida) |
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HAT1127HWS-E Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HAT1127HWS-E |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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HAT1127HWS-E Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | +10V, -20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5600pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 5-LFPAK |
| Pacchetto / Custodia | SC-100, SOT-669 |
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