H11G2VM
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Numero parte | H11G2VM |
PNEDA Part # | H11G2VM |
Descrizione | OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.154 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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H11G2VM Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | H11G2VM |
Categoria | Semiconduttori › Isolatori › Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica |
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H11G2VM Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | - |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 4170Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 1000% @ 10mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | - |
Tempo di accensione / spegnimento (tipico) | 5µs, 100µs |
Tempo di salita / discesa (tipico) | - |
Tipo di ingresso | DC |
Tipo di output | Darlington with Base |
Tensione - Uscita (Max) | 80V |
Corrente - Uscita / Canale | - |
Tensione - Avanti (Vf) (Tip) | 1.3V |
Corrente - DC diretta (If) (Max) | 60mA |
Saturazione Vce (Max) | 1V |
Temperatura di esercizio | -40°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DIP |
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