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H11B1VM

H11B1VM

Solo per riferimento

Numero parte H11B1VM
PNEDA Part # H11B1VM
Descrizione OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $12,2875
100 ---------- $11,7115
250 ---------- $11,1355
500 ---------- $10,5596
750 ---------- $10,0796
1.000 ---------- $9,5996
Disponibile 4.313
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

H11B1VM Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteH11B1VM
CategoriaSemiconduttoriIsolatoriOptoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica
Datasheet
H11B1VM, H11B1VM Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 399,52 KB)
PDF4N29TVM Datasheet Copertura
4N29TVM Datasheet Pagina 2 4N29TVM Datasheet Pagina 3 4N29TVM Datasheet Pagina 4 4N29TVM Datasheet Pagina 5 4N29TVM Datasheet Pagina 6 4N29TVM Datasheet Pagina 7 4N29TVM Datasheet Pagina 8 4N29TVM Datasheet Pagina 9 4N29TVM Datasheet Pagina 10 4N29TVM Datasheet Pagina 11

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H11B1VM Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Numero di canali1
Tensione - Isolamento4170Vrms
Rapporto di trasferimento corrente (min)500% @ 1mA
Rapporto di trasferimento corrente (massimo)-
Tempo di accensione / spegnimento (tipico)25µs, 18µs
Tempo di salita / discesa (tipico)-
Tipo di ingressoDC
Tipo di outputDarlington with Base
Tensione - Uscita (Max)30V
Corrente - Uscita / Canale150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Tip)1.2V
Corrente - DC diretta (If) (Max)80mA
Saturazione Vce (Max)1V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 100°C
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia6-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore6-DIP

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Produttore

Lite-On Inc.

Serie

-

Numero di canali

2

Tensione - Isolamento

3750Vrms

Rapporto di trasferimento corrente (min)

100% @ 10mA

Rapporto di trasferimento corrente (massimo)

200% @ 10mA

Tempo di accensione / spegnimento (tipico)

5µs, 4µs

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Tipo di ingresso

DC

Tipo di output

Transistor

Tensione - Uscita (Max)

80V

Corrente - Uscita / Canale

-

Tensione - Avanti (Vf) (Tip)

1.2V

Corrente - DC diretta (If) (Max)

30mA

Saturazione Vce (Max)

400mV

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 110°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Numero di canali

1

Tensione - Isolamento

3750Vrms

Rapporto di trasferimento corrente (min)

50% @ 5mA

Rapporto di trasferimento corrente (massimo)

400% @ 5mA

Tempo di accensione / spegnimento (tipico)

9µs, 9µs

Tempo di salita / discesa (tipico)

5µs, 9µs

Tipo di ingresso

DC

Tipo di output

Transistor

Tensione - Uscita (Max)

80V

Corrente - Uscita / Canale

50mA

Tensione - Avanti (Vf) (Tip)

1.25V

Corrente - DC diretta (If) (Max)

50mA

Saturazione Vce (Max)

300mV

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 110°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

6-SO, 4 Lead

TLP385(D4-TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Numero di canali

1

Tensione - Isolamento

5000Vrms

Rapporto di trasferimento corrente (min)

50% @ 5mA

Rapporto di trasferimento corrente (massimo)

600% @ 5mA

Tempo di accensione / spegnimento (tipico)

3µs, 3µs

Tempo di salita / discesa (tipico)

2µs, 3µs

Tipo di ingresso

DC

Tipo di output

Transistor

Tensione - Uscita (Max)

80V

Corrente - Uscita / Canale

50mA

Tensione - Avanti (Vf) (Tip)

1.25V

Corrente - DC diretta (If) (Max)

50mA

Saturazione Vce (Max)

300mV

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 110°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

6-SO, 4 Lead

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Produttore

Sharp Microelectronics

Serie

-

Numero di canali

2

Tensione - Isolamento

5000Vrms

Rapporto di trasferimento corrente (min)

80% @ 5mA

Rapporto di trasferimento corrente (massimo)

600% @ 5mA

Tempo di accensione / spegnimento (tipico)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

4µs, 3µs

Tipo di ingresso

DC

Tipo di output

Transistor

Tensione - Uscita (Max)

35V

Corrente - Uscita / Canale

50mA

Tensione - Avanti (Vf) (Tip)

1.2V

Corrente - DC diretta (If) (Max)

50mA

Saturazione Vce (Max)

200mV

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 100°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DIP

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Produttore

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Tensione - Isolamento

5000Vrms

Rapporto di trasferimento corrente (min)

40% @ 10mA

Rapporto di trasferimento corrente (massimo)

320% @ 10mA

Tempo di accensione / spegnimento (tipico)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

2µs, 2µs

Tipo di ingresso

DC

Tipo di output

Transistor with Base

Tensione - Uscita (Max)

70V

Corrente - Uscita / Canale

50mA

Tensione - Avanti (Vf) (Tip)

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60mA

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Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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