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GS1GE-TP

GS1GE-TP

Solo per riferimento

Numero parte GS1GE-TP
PNEDA Part # GS1GE-TP
Descrizione DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Produttore Micro Commercial Co
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.230
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 21 - dic 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GS1GE-TP Risorse

Brand Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGS1GE-TP
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
GS1GE-TP, GS1GE-TP Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 272,94 KB)
PDFGS1KE-TP Datasheet Copertura
GS1KE-TP Datasheet Pagina 2 GS1KE-TP Datasheet Pagina 3 GS1KE-TP Datasheet Pagina 4

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GS1GE-TP Specifiche

ProduttoreMicro Commercial Co
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)400V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AC (SMAE)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

300mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 100mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

5ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

300ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AA, DO-27, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 125°C

SIDC30D60E6X1SA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

75A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 75A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

27µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Sawn on foil

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

SB360S-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AC, DO-15, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AC (DO-15)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

BAW62_T50R

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

75V

Corrente - Media Rettificata (Io)

300mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 75V

Capacità @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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