GP2M008A060HG
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Numero parte | GP2M008A060HG |
PNEDA Part # | GP2M008A060HG |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220 |
Produttore | Global Power Technologies Group |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.464 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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GP2M008A060HG Risorse
Brand | Global Power Technologies Group |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | GP2M008A060HG |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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GP2M008A060HG Specifiche
Produttore | Global Power Technologies Group |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 3.75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1063pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 120W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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