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GP10N-E3/54

GP10N-E3/54

Solo per riferimento

Numero parte GP10N-E3/54
PNEDA Part # GP10N-E3-54
Descrizione DIODE GEN PURP 1.1KV 1A DO204AL
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.168
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 30 - gen 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GP10N-E3/54 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGP10N-E3/54
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
GP10N-E3/54, GP10N-E3/54 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 72,5 KB)
PDFGP10Y-M3/54 Datasheet Copertura
GP10Y-M3/54 Datasheet Pagina 2 GP10Y-M3/54 Datasheet Pagina 3 GP10Y-M3/54 Datasheet Pagina 4 GP10Y-M3/54 Datasheet Pagina 5

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GP10N-E3/54 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieSUPERECTIFIER®
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1100V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.2V @ 1A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)3µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 1100V
Capacità @ Vr, F7pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-204AL, DO-41, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-204AL (DO-41)
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 150°C

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

SMC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

RLS-73TE-11

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

80V

Corrente - Media Rettificata (Io)

130mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500nA @ 80V

Capacità @ Vr, F

2pF @ 0.5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

Pacchetto dispositivo fornitore

LLDS

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

ER2DTR

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Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

25pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

SMB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

SSL12HM2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

390mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 20V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

V8P6-M3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®, TMBS®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4.2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

610mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

600µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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