GP10ME-E3/73
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| Numero parte | GP10ME-E3/73 |
| PNEDA Part # | GP10ME-E3-73 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.320 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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GP10ME-E3/73 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GP10ME-E3/73 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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GP10ME-E3/73 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | SUPERECTIFIER® |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1000V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
| Capacità @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 3.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 450mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 2mA @ 30V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore Sanken Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 600mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 100ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia Axial Pacchetto dispositivo fornitore Axial Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 550mV @ 500mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 10ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 30µA @ 15V Capacità @ Vr, F 16pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore 3-MCP Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 15A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 15A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB-2L Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/590 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 880V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 1.4A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 2µA @ 880V Capacità @ Vr, F 40pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia E, Axial Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
