GD5F4GQ4RBYIGY
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| Numero parte | GD5F4GQ4RBYIGY |
| PNEDA Part # | GD5F4GQ4RBYIGY |
| Descrizione | SPI NAND FLASH |
| Produttore | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.862 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 7 - nov 12 (Scegli Spedizione rapida) |
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GD5F4GQ4RBYIGY Risorse
| Brand | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GD5F4GQ4RBYIGY |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
GD5F4GQ4RBYIGY, GD5F4GQ4RBYIGY Datasheet
(Totale pagine: 28, Dimensioni: 4.295,75 KB)
  
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GD5F4GQ4RBYIGY Specifiche
| Produttore | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
| Frequenza di clock | 120MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 2V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-WDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WSON (6x8) |
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Produttore GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 2Mb (256K x 8) Interfaccia di memoria SPI - Dual I/O Frequenza di clock 50MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 97µs, 6ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.65V ~ 2V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-USON (2x3) |
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