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GD25Q16CSIG

GD25Q16CSIG

Solo per riferimento

Numero parte GD25Q16CSIG
PNEDA Part # GD25Q16CSIG
Descrizione NOR FLASH
Produttore GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 77.677
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 31 - gen 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GD25Q16CSIG Risorse

Brand GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGD25Q16CSIG
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
GD25Q16CSIG, GD25Q16CSIG Datasheet (Totale pagine: 28, Dimensioni: 4.295,75 KB)
PDFGD25VE32CVIGR Datasheet Copertura
GD25VE32CVIGR Datasheet Pagina 2 GD25VE32CVIGR Datasheet Pagina 3 GD25VE32CVIGR Datasheet Pagina 4 GD25VE32CVIGR Datasheet Pagina 5 GD25VE32CVIGR Datasheet Pagina 6 GD25VE32CVIGR Datasheet Pagina 7 GD25VE32CVIGR Datasheet Pagina 8 GD25VE32CVIGR Datasheet Pagina 9 GD25VE32CVIGR Datasheet Pagina 10 GD25VE32CVIGR Datasheet Pagina 11

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  • GD25Q16CSIG Distributor

GD25Q16CSIG Specifiche

ProduttoreGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria16Mb (2M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI - Quad I/O
Frequenza di clock120MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina50µs, 2.4ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8, 64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

110ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

56-TSOP

IS62WV5128DBLL-45T2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP II

MT47H128M8BT-5E L:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

600ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

92-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

92-FBGA (11x19)

AT29LV020-25TC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ms

Tempo di accesso

250ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP

71V67703S75BQG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

117MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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