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GBU4K-5400M3/51

GBU4K-5400M3/51

Solo per riferimento

Numero parte GBU4K-5400M3/51
PNEDA Part # GBU4K-5400M3-51
Descrizione BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBU
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.286
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GBU4K-5400M3/51 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGBU4K-5400M3/51
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte
Datasheet
GBU4K-5400M3/51, GBU4K-5400M3/51 Datasheet (Totale pagine: 35, Dimensioni: 790,49 KB)
PDFGBU4ML-7001M3/51 Datasheet Copertura
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GBU4K-5400M3/51 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)800V
Corrente - Media Rettificata (Io)3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 4A
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 800V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia4-SIP, GBU
Pacchetto dispositivo fornitoreGBU

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Corrente - Media Rettificata (Io)

50A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 25A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 400V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Single Phase

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Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 10A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBJ

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo di diodo

Single Phase

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Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 15A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-ESIP

Pacchetto dispositivo fornitore

GBU

KBP202G

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 2A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 100V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, KBP

Pacchetto dispositivo fornitore

KBP

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Tipo di diodo

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Tecnologia

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Tensione - Picco inverso (Max)

1.2kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

88A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 150A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

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