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GBPC3502W

GBPC3502W

Solo per riferimento

Numero parte GBPC3502W
PNEDA Part # GBPC3502W_156
Descrizione BRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-W
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.570
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GBPC3502W Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGBPC3502W
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte
Datasheet
GBPC3502W, GBPC3502W Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 643,91 KB)
PDFGBPC3502W Datasheet Copertura
GBPC3502W Datasheet Pagina 2 GBPC3502W Datasheet Pagina 3 GBPC3502W Datasheet Pagina 4

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GBPC3502W Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)35A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 17.5A
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 200V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia4-Square, GBPC-W
Pacchetto dispositivo fornitoreGBPC-W

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Tensione - Picco inverso (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3.9A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 8A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

GBU

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 7.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

QC Terminal

Pacchetto / Custodia

4-Square, GBPC-M

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 4A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-ESIP

Pacchetto dispositivo fornitore

GBU

110MT80KB

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Three Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

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Corrente - Media Rettificata (Io)

110A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 150A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10mA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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-

Tecnologia

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Tensione - Picco inverso (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

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