GB50MPS17-247
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| Numero parte | GB50MPS17-247 |
| PNEDA Part # | GB50MPS17-247 |
| Descrizione | SIC DIODE 1700V 50A TO-247-2 |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.392 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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GB50MPS17-247 Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GB50MPS17-247 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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GB50MPS17-247 Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1700V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 216A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 50A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 60µA @ 1700V |
| Capacità @ Vr, F | 3193pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 13A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 8A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F 463pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
