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GAP3SLT33-214

GAP3SLT33-214

Solo per riferimento

Numero parte GAP3SLT33-214
PNEDA Part # GAP3SLT33-214
Descrizione DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.466
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 7 - nov 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GAP3SLT33-214 Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGAP3SLT33-214
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
GAP3SLT33-214, GAP3SLT33-214 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 401,67 KB)
PDFGAP3SLT33-214 Datasheet Copertura
GAP3SLT33-214 Datasheet Pagina 2 GAP3SLT33-214 Datasheet Pagina 3 GAP3SLT33-214 Datasheet Pagina 4 GAP3SLT33-214 Datasheet Pagina 5 GAP3SLT33-214 Datasheet Pagina 6

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GAP3SLT33-214 Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoSilicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)3300V
Corrente - Media Rettificata (Io)300mA (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If2.2V @ 300mA
VelocitàNo Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 3300V
Capacità @ Vr, F42pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AA
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 500mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

7pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-213AA (Glass)

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-213AA (GL34)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

SD175SA45A.T2

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Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

JANTX1N4458R

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Produttore

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Serie

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Tipo di diodo

Standard, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 15A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AA, DO-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-203AA (DO-4)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

VS-50PFR140W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

50A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 125A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-203AB (DO-5)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 160°C

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

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