GA10SICP12-263
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| Numero parte | GA10SICP12-263 |
| PNEDA Part # | GA10SICP12-263 |
| Descrizione | TRANS SJT 1200V 25A TO263-7 |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.496 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 26 - mag 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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GA10SICP12-263 Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GA10SICP12-263 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
GA10SICP12-263, GA10SICP12-263 Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 1.461,01 KB)
  
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GA10SICP12-263 Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1403pF @ 800V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 170W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK (7-Lead) |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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