FZ800R45KL3B5NOSA2
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| Numero parte | FZ800R45KL3B5NOSA2 |
| PNEDA Part # | FZ800R45KL3B5NOSA2 |
| Descrizione | MODULE IGBT A-IHV130-4 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.128 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 12 - apr 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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FZ800R45KL3B5NOSA2 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FZ800R45KL3B5NOSA2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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FZ800R45KL3B5NOSA2 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Half Bridge |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 4500V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 1600A |
| Potenza - Max | 9000W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.85V @ 15V, 800A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 5mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.1nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | No |
| Temperatura di esercizio | -50°C ~ 125°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Asymmetrical Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 280A Potenza - Max 890W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 200A Corrente - Taglio collettore (Max) 350µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 14nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP6 Pacchetto dispositivo fornitore SP6 |
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