FZ1800R12HE4B9HOSA2
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| Numero parte | FZ1800R12HE4B9HOSA2 |
| PNEDA Part # | FZ1800R12HE4B9HOSA2 |
| Descrizione | MODULE IGBT IHMB190-2 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.434 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 7 - apr 12 (Scegli Spedizione rapida) |
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FZ1800R12HE4B9HOSA2 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FZ1800R12HE4B9HOSA2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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FZ1800R12HE4B9HOSA2 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Single Switch |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 2735A |
| Potenza - Max | 11000W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 1800A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 5mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 110nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | No |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 220A Potenza - Max 750W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 150A Corrente - Taglio collettore (Max) 300µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 9.3nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP2 Pacchetto dispositivo fornitore SP2 |
