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FS100R12N2T4PBPSA1

FS100R12N2T4PBPSA1

Solo per riferimento

Numero parte FS100R12N2T4PBPSA1
PNEDA Part # FS100R12N2T4PBPSA1
Descrizione LOW POWER ECONO
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.834
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FS100R12N2T4PBPSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFS100R12N2T4PBPSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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FS100R12N2T4PBPSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Configurazione-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Potenza - Max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce-
Input-
Termistore NTC-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Littelfuse

Produttore

Littelfuse Inc.

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 150A (Typ)

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

10.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

270A

Potenza - Max

1130W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Y3-DCB

Pacchetto dispositivo fornitore

Y3-DCB

FF800R17KE3B2NOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

FF600R12IE4PNOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600A

Potenza - Max

3350W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 600A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGLQ75H120TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

130A

Potenza - Max

385W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

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