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FRA805G-BP

FRA805G-BP

Solo per riferimento

Numero parte FRA805G-BP
PNEDA Part # FRA805G-BP
Descrizione DIODE FAST REC TO-220AC
Produttore Micro Commercial Co
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.592
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FRA805G-BP Risorse

Brand Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFRA805G-BP
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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FRA805G-BP Specifiche

ProduttoreMicro Commercial Co
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)600V
Corrente - Media Rettificata (Io)8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.3V @ 8A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)250ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F60pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

40A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 125A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-203AB (DO-5)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 190°C

IDH12S60CAKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

12A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 12A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

160µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

530pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-2-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

VS-T85HFL20S02

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

85A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20mA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-55 T-Module

Pacchetto dispositivo fornitore

D-55

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

FR16DR05

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

16A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 16A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

500ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AA, DO-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-4

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

AU2PMHM3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Tipo di diodo

Avalanche

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.3A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.5V @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

29pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-277A (SMPC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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