FQD13N06LTF
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| Numero parte | FQD13N06LTF |
| PNEDA Part # | FQD13N06LTF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 11A DPAK |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.280 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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FQD13N06LTF Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FQD13N06LTF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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FQD13N06LTF Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | QFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 450nC @ 20V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7200pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 215W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.3nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 6-SCH Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 115mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 225mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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