FQB10N50CFTM-WS
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| Numero parte | FQB10N50CFTM-WS |
| PNEDA Part # | FQB10N50CFTM-WS |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 10A DPAK |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 15.876 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 26 - dic 31 (Scegli Spedizione rapida) |
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FQB10N50CFTM-WS Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FQB10N50CFTM-WS |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
FQB10N50CFTM-WS, FQB10N50CFTM-WS Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 1.211,94 KB)
  
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FQB10N50CFTM-WS Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | FRFET®, QFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 610mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2210pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 143W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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