FQAF15N70
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| Numero parte | FQAF15N70 |
| PNEDA Part # | FQAF15N70 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 700V 9.5A TO-3PF |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.830 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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FQAF15N70 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FQAF15N70 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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FQAF15N70 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | QFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 700V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 4.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 120W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PF |
| Pacchetto / Custodia | TO-3P-3 Full Pack |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2150pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.65W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SMP-FD Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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