Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

FQA8N90C

FQA8N90C

Solo per riferimento

Numero parte FQA8N90C
PNEDA Part # FQA8N90C
Descrizione MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.862
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 25 - dic 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FQA8N90C Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFQA8N90C
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FQA8N90C, FQA8N90C Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 692,91 KB)
PDFFQA8N90C Datasheet Copertura
FQA8N90C Datasheet Pagina 2 FQA8N90C Datasheet Pagina 3 FQA8N90C Datasheet Pagina 4 FQA8N90C Datasheet Pagina 5 FQA8N90C Datasheet Pagina 6 FQA8N90C Datasheet Pagina 7 FQA8N90C Datasheet Pagina 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • FQA8N90C Datasheet
  • where to find FQA8N90C
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FQA8N90C
  • FQA8N90C PDF Datasheet
  • FQA8N90C Stock

  • FQA8N90C Pinout
  • Datasheet FQA8N90C
  • FQA8N90C Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FQA8N90C Price
  • FQA8N90C Distributor

FQA8N90C Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieQFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.9Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2080pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)240W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P
Pacchetto / CustodiaTO-3P-3, SC-65-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

SUM110N04-03P-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.75W (Ta), 375W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (D2Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SQM30010EL_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.35mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

450nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

28000pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

375W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (D²Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TPC6009-H(TE85L,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI-H

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

81mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

VS-6 (2.9x2.8)

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

RW1E015RPT2R

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

400mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-WEMT

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

SI1431DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.7A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

950mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70-6 (SOT-363)

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Venduto di recente

BCR30AM-12LB#B00

BCR30AM-12LB#B00

Renesas Electronics America

TRIAC 600V 30A TO3P

M28W160CT70N6E

M28W160CT70N6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

MMBT3904LT1G

MMBT3904LT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 40V 0.2A SOT23

MIC5235-3.3YM5-TR

MIC5235-3.3YM5-TR

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5

SD4933MR

SD4933MR

STMicroelectronics

TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177

FT4232HL-REEL

FT4232HL-REEL

FTDI, Future Technology Devices International Ltd

IC USB HS QUAD UART/SYNC 64-LQFP

STM32F103C8T7

STM32F103C8T7

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 64KB FLASH 48LQFP

MP4560DN-LF-Z

MP4560DN-LF-Z

Monolithic Power Systems Inc.

IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 8SOIC

RL7520WT-R005-F

RL7520WT-R005-F

Susumu

RES 0.005 OHM 2W 3008 WIDE

1N4001G

1N4001G

SMC Diode Solutions

DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

MMBD7000LT1G

MMBD7000LT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23

PVG612ASPBF

PVG612ASPBF

Infineon Technologies

SSR RELAY SPST-NO 2A 0-60V