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FPF1C2P5BF07A

FPF1C2P5BF07A

Solo per riferimento

Numero parte FPF1C2P5BF07A
PNEDA Part # FPF1C2P5BF07A
Descrizione MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.250
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FPF1C2P5BF07A Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFPF1C2P5BF07A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FPF1C2P5BF07A, FPF1C2P5BF07A Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 2.446,59 KB)
PDFFPF1C2P5BF07A Datasheet Copertura
FPF1C2P5BF07A Datasheet Pagina 2 FPF1C2P5BF07A Datasheet Pagina 3 FPF1C2P5BF07A Datasheet Pagina 4 FPF1C2P5BF07A Datasheet Pagina 5 FPF1C2P5BF07A Datasheet Pagina 6 FPF1C2P5BF07A Datasheet Pagina 7 FPF1C2P5BF07A Datasheet Pagina 8 FPF1C2P5BF07A Datasheet Pagina 9

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FPF1C2P5BF07A Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET5 N-Channel (Solar Inverter)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C36A
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max250W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaF1 Module
Pacchetto dispositivo fornitoreF1

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Source

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

28A (Ta), 95A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.12mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5035pF @ 15V

Potenza - Max

2.1W (Ta), 29W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

750mA, 600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 16V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A, 13A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 15V

Potenza - Max

700mW, 1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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SI3850ADV-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel, Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.4A, 960mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.08W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 8V

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