FMM22-06PF
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| Numero parte | FMM22-06PF |
| PNEDA Part # | FMM22-06PF |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 600V 12A I4-PAC |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.786 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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FMM22-06PF Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FMM22-06PF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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FMM22-06PF Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
| Potenza - Max | 130W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | i4-Pac™-5 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS i4-PAC™ |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 215mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V Potenza - Max 600mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
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