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FM25L04B-GATR

FM25L04B-GATR

Solo per riferimento

Numero parte FM25L04B-GATR
PNEDA Part # FM25L04B-GATR
Descrizione IC FRAM 4K SPI 10MHZ 8SOIC
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 31.601
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 7 - dic 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FM25L04B-GATR Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFM25L04B-GATR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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FM25L04B-GATR Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieAutomotive, AEC-Q100, F-RAM™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFRAM
TecnologiaFRAM (Ferroelectric RAM)
Dimensione della memoria4Kb (512 x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock10MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-TSOP I

AS4C32M16SM-7TIN

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

MT53B512M64D4NW-062 WT:D

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

32Gb (512M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

70V657S12BFGI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

1.125Mb (32K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

208-LFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

208-FPBGA (15x15)

MT46V16M8TG-75:D

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

750ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP

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