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FID36-06D

FID36-06D

Solo per riferimento

Numero parte FID36-06D
PNEDA Part # FID36-06D
Descrizione IGBT 600V 38A 125W I4PAC5
Produttore IXYS
Prezzo unitario
1 ---------- $56,7498
100 ---------- $54,0897
250 ---------- $51,4295
500 ---------- $48,7694
750 ---------- $46,5526
1.000 ---------- $44,3358
Disponibile 149
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FID36-06D Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFID36-06D
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
FID36-06D, FID36-06D Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 46,91 KB)
PDFFID36-06D Datasheet Copertura
FID36-06D Datasheet Pagina 2

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FID36-06D Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)38A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 25A
Potenza - Max125W
Switching Energy1.1mJ (on), 600µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge140nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test300V, 25A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)50ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodiai4-Pac™-5
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS i4-PAC™

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 15A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

1.75mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

57nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/148ns

Condizione di test

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 AA (IXSA)

AUIRGF76524D0

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

APT70GR120B2

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

160A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 70A

Potenza - Max

961W

Switching Energy

3.82mJ (on), 2.58mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

544nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

33ns/278ns

Condizione di test

600V, 70A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

STGP10NC60H

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

31.8µJ (on), 95µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

19.2nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

14.2ns/72ns

Condizione di test

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

RGCL80TK60DGC11

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 40A

Potenza - Max

57W

Switching Energy

1.11mJ (on), 1.68mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

98nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

53ns/227ns

Condizione di test

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

58ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3PFM, SC-93-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PFM

Venduto di recente

ADSP-BF527BBCZ-5A

ADSP-BF527BBCZ-5A

Analog Devices

IC DSP 16BIT 533MHZ 208CSBGA

LPC4330FBD144,551

LPC4330FBD144,551

NXP

IC MCU 32BIT ROMLESS 144LQFP

NHD-0420CW-AW3

NHD-0420CW-AW3

Newhaven Display Intl

4X20 WHITE SLIM CHARACTER OLED

ACPL-C78A-000E

ACPL-C78A-000E

Broadcom

IC OPAMP ISOLATION 1 CIRC 8SSO

C0805C334J4RACTU

C0805C334J4RACTU

KEMET

CAP CER 0.33UF 16V X7R 0805

FMMT625TA

FMMT625TA

Diodes Incorporated

TRANS NPN 150V 1A SOT23-3

DLP11SN900HL2L

DLP11SN900HL2L

Murata

CMC 150MA 2LN 90 OHM SMD

B160-13-F

B160-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA

B340A-E3/61T

B340A-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC

FDD86540

FDD86540

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3

LTC3676HUJ-1#TRPBF

LTC3676HUJ-1#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CONV I.MX6 7OUT 40QFN

VN10LP

VN10LP

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3