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FGP30N6S2

FGP30N6S2

Solo per riferimento

Numero parte FGP30N6S2
PNEDA Part # FGP30N6S2
Descrizione IGBT 600V 45A 167W TO220AB
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.514
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FGP30N6S2 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFGP30N6S2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
FGP30N6S2, FGP30N6S2 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 173,7 KB)
PDFFGB30N6S2 Datasheet Copertura
FGB30N6S2 Datasheet Pagina 2 FGB30N6S2 Datasheet Pagina 3 FGB30N6S2 Datasheet Pagina 4 FGB30N6S2 Datasheet Pagina 5 FGB30N6S2 Datasheet Pagina 6 FGB30N6S2 Datasheet Pagina 7 FGB30N6S2 Datasheet Pagina 8

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FGP30N6S2 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)45A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)108A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 12A
Potenza - Max167W
Switching Energy55µJ (on), 100µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge23nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C6ns/40ns
Condizione di test390V, 12A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Potenza - Max

543W

Switching Energy

385µJ (on), 352µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

135nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/64ns

Condizione di test

400V, 40A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

D3 [S]

IRGP4262D-EPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 24A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

520µJ (on), 240µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

70nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/73ns

Condizione di test

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

170ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

FGY100T65SCDT

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

Potenza - Max

750W

Switching Energy

5.4mJ (on), 3.8mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

157nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

84ns/216ns

Condizione di test

400V, 100A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

62ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

NGTB05N60R2DT4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 5A

Potenza - Max

56W

Switching Energy

188µJ (on), 60µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

30nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

44ns/82ns

Condizione di test

300V, 5A, 30Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

70ns

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

STGB6NC60HDT4

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

21A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

Potenza - Max

56W

Switching Energy

20µJ (on), 68µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

13.6nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/76ns

Condizione di test

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

21ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

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