FGA6560WDF
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| Numero parte | FGA6560WDF |
| PNEDA Part # | FGA6560WDF |
| Descrizione | IGBT 650V 120A 306W TO-3PN |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.886 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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FGA6560WDF Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FGA6560WDF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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FGA6560WDF Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 120A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 180A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 60A |
| Potenza - Max | 306W |
| Switching Energy | 2.46mJ (on), 520µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 84nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 25.6ns/71ns |
| Condizione di test | 400V, 60A, 6Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 110ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PN |
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