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FGA20N120FTDTU

FGA20N120FTDTU

Solo per riferimento

Numero parte FGA20N120FTDTU
PNEDA Part # FGA20N120FTDTU
Descrizione IGBT 1200V 40A 298W TO3PN
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 24.240
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FGA20N120FTDTU Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFGA20N120FTDTU
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
FGA20N120FTDTU, FGA20N120FTDTU Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 414,52 KB)
PDFFGA20N120FTDTU Datasheet Copertura
FGA20N120FTDTU Datasheet Pagina 2 FGA20N120FTDTU Datasheet Pagina 3 FGA20N120FTDTU Datasheet Pagina 4 FGA20N120FTDTU Datasheet Pagina 5 FGA20N120FTDTU Datasheet Pagina 6 FGA20N120FTDTU Datasheet Pagina 7 FGA20N120FTDTU Datasheet Pagina 8 FGA20N120FTDTU Datasheet Pagina 9 FGA20N120FTDTU Datasheet Pagina 10 FGA20N120FTDTU Datasheet Pagina 11

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FGA20N120FTDTU Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)40A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 20A
Potenza - Max298W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge137nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)447ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P

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STGD8NC60KDT4

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 3A

Potenza - Max

62W

Switching Energy

55µJ (on), 85µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

19nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17ns/72ns

Condizione di test

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

23.5ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

APT68GA60B2D40

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

121A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

202A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Potenza - Max

520W

Switching Energy

715µJ (on), 607µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

198nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

21ns/133ns

Condizione di test

400V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3 Variant

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IRG7PH42U-EP

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

90A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Potenza - Max

385W

Switching Energy

2.11mJ (on), 1.18mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

157nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/229ns

Condizione di test

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

153ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

SGP15N60XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

31A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

62A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Potenza - Max

139W

Switching Energy

570µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

76nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

32ns/234ns

Condizione di test

400V, 15A, 21Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

IRG4BC20FD-S

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Produttore

Infineon Technologies

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-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

64A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

250µJ (on), 640µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

27nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

43ns/240ns

Condizione di test

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

37ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

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