FFSM1265A
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| Numero parte | FFSM1265A |
| PNEDA Part # | FFSM1265A |
| Descrizione | 650V 12A SIC SBD |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.052 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 10 - apr 15 (Scegli Spedizione rapida) |
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FFSM1265A Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FFSM1265A |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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FFSM1265A Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 12.5A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 12A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 650V |
| Capacità @ Vr, F | 665pF @ 1V, 100kHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 4-PowerTSFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 4-PQFN (8x8) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Diodes Incorporated Serie SBR® Tipo di diodo Super Barrier Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media Rettificata (Io) 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 480mV @ 200mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 0402 (1006 Metric) Pacchetto dispositivo fornitore X1-DFN1006-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
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