FF150R12YT3BOMA1
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| Numero parte | FF150R12YT3BOMA1 |
| PNEDA Part # | FF150R12YT3BOMA1 |
| Descrizione | IGBT MODULE VCES 1200V 150A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.222 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 25 - apr 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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FF150R12YT3BOMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FF150R12YT3BOMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
| Datasheet |
FF150R12YT3BOMA1, FF150R12YT3BOMA1 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 481,24 KB)
  
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FF150R12YT3BOMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | 2 Independent |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 200A |
| Potenza - Max | 625W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 150A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 1mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 10.5nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT NPT Configurazione Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 116A Potenza - Max 543W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 85A Corrente - Taglio collettore (Max) 1mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 8.4nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227 |
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