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FF1400R12IP4BOSA1

FF1400R12IP4BOSA1

Solo per riferimento

Numero parte FF1400R12IP4BOSA1
PNEDA Part # FF1400R12IP4BOSA1
Descrizione IGBT MODULE VCES 1200V 1400A
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.514
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FF1400R12IP4BOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFF1400R12IP4BOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
FF1400R12IP4BOSA1, FF1400R12IP4BOSA1 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 662,74 KB)
PDFFF1400R12IP4BOSA1 Datasheet Copertura
FF1400R12IP4BOSA1 Datasheet Pagina 2 FF1400R12IP4BOSA1 Datasheet Pagina 3 FF1400R12IP4BOSA1 Datasheet Pagina 4 FF1400R12IP4BOSA1 Datasheet Pagina 5 FF1400R12IP4BOSA1 Datasheet Pagina 6 FF1400R12IP4BOSA1 Datasheet Pagina 7 FF1400R12IP4BOSA1 Datasheet Pagina 8 FF1400R12IP4BOSA1 Datasheet Pagina 9

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FF1400R12IP4BOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Configurazione2 Independent
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1400A
Potenza - Max765000W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 1400A
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce82nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

Power-SPM™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

310W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.515nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

EPM7

Pacchetto dispositivo fornitore

EPM7

APTGT50DH120T3G

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Asymmetrical Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

277W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

182A

Potenza - Max

520W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

18.67nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

INT-A-Pak

Pacchetto dispositivo fornitore

INT-A-PAK

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

288A

Potenza - Max

1087W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

910A

Potenza - Max

3125W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 600A (Typ)

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

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