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FEPF16JT-E3/45

FEPF16JT-E3/45

Solo per riferimento

Numero parte FEPF16JT-E3/45
PNEDA Part # FEPF16JT-E3-45
Descrizione DIODE ARRAY GP 600V 8A ITO220AB
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario
1 ---------- $17,9553
100 ---------- $17,1137
250 ---------- $16,2720
500 ---------- $15,4304
750 ---------- $14,7290
1.000 ---------- $14,0276
Disponibile 720
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FEPF16JT-E3/45 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFEPF16JT-E3/45
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
FEPF16JT-E3/45, FEPF16JT-E3/45 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 158,31 KB)
PDFFEP16JT-5410HE3/45 Datasheet Copertura
FEP16JT-5410HE3/45 Datasheet Pagina 2 FEP16JT-5410HE3/45 Datasheet Pagina 3 FEP16JT-5410HE3/45 Datasheet Pagina 4 FEP16JT-5410HE3/45 Datasheet Pagina 5 FEP16JT-5410HE3/45 Datasheet Pagina 6

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FEPF16JT-E3/45 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.5V @ 8A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pacchetto dispositivo fornitoreITO-220AB

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MBR30H35CT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

620mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

80µA @ 35V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

SBR3045CTFP

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Super Barrier

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Pacchetto dispositivo fornitore

ITO-220AB

MBR2X030A045

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

2 Independent

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

60A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

MBR2X120A120

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

2 Independent

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

120V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

120A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

880mV @ 120A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 120V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

DD340N20SHPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Series Connection

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

2000V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

330A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 2000V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 135°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

BG-PB50SB-1

Venduto di recente

WSL120600000ZEA9

WSL120600000ZEA9

Vishay Dale

RES 0 OHM JUMPER 1206

SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

06035C104KAT2A

06035C104KAT2A

CAP CER 0.1UF 50V X7R 0603

Q8F1CXXB12E

Q8F1CXXB12E

APEM Inc.

INDICATOR 12V 8MM FLUSH BLUE

AD9745BCPZRL

AD9745BCPZRL

Analog Devices

IC DAC 12BIT A-OUT 72LFCSP

CP2102-GM

CP2102-GM

Silicon Labs

IC USB-TO-UART BRIDGE 28VQFN

NLC565050T-101K-PF

NLC565050T-101K-PF

TDK

FIXED IND 100UH 250MA 1.6 OHM

NLC453232T-150K-PF

NLC453232T-150K-PF

TDK

FIXED IND 15UH 450MA 700 MOHM

PI3USB30532ZLE

PI3USB30532ZLE

Diodes Incorporated

IC MUX/DEMUX USB 3.0 40TQFN

KSZ8863MLLI

KSZ8863MLLI

Microchip Technology

IC ETHERNET SWITCH 3PORT 48-LQFP

SM05T1G

SM05T1G

ON Semiconductor

TVS DIODE 5V 9.8V SOT23-3

PBRC4.00HR50X000

PBRC4.00HR50X000

Kyocera

CER RES 4.0000MHZ 30PF SMD