FDZ371PZ
Solo per riferimento
Numero parte | FDZ371PZ |
PNEDA Part # | FDZ371PZ |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.480 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida) |
Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
FDZ371PZ Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | FDZ371PZ |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- FDZ371PZ Datasheet
- where to find FDZ371PZ
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor FDZ371PZ
- FDZ371PZ PDF Datasheet
- FDZ371PZ Stock
- FDZ371PZ Pinout
- Datasheet FDZ371PZ
- FDZ371PZ Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- FDZ371PZ Price
- FDZ371PZ Distributor
FDZ371PZ Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | PowerTrench® |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 10V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-WLCSP (1x1) |
Pacchetto / Custodia | 4-XFBGA, WLCSP |
I prodotti a cui potresti essere interessato
Texas Instruments Produttore Serie NexFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta), 123A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3640pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 83W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 155°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-VSONP (5x6) Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
IXYS Produttore IXYS Serie HiPerFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 108nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6300pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 780W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-268HV Pacchetto / Custodia TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
ON Semiconductor Produttore ON Semiconductor Serie QFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.13W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK (TO-262) Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Vishay Siliconix Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 |
Vishay Siliconix Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 600mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 5V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Pacchetto / Custodia 4-DIP (0.300", 7.62mm) |