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FDZ371PZ

FDZ371PZ

Solo per riferimento

Numero parte FDZ371PZ
PNEDA Part # FDZ371PZ
Descrizione MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.480
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDZ371PZ Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDZ371PZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDZ371PZ, FDZ371PZ Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 379,98 KB)
PDFFDZ371PZ Datasheet Copertura
FDZ371PZ Datasheet Pagina 2 FDZ371PZ Datasheet Pagina 3 FDZ371PZ Datasheet Pagina 4 FDZ371PZ Datasheet Pagina 5 FDZ371PZ Datasheet Pagina 6 FDZ371PZ Datasheet Pagina 7 FDZ371PZ Datasheet Pagina 8 FDZ371PZ Datasheet Pagina 9

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FDZ371PZ Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.7A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1000pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.7W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore4-WLCSP (1x1)
Pacchetto / Custodia4-XFBGA, WLCSP

I prodotti a cui potresti essere interessato

CSD17581Q5A

Texas Instruments

Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Ta), 123A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3640pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-VSONP (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

108nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6300pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

780W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268HV

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

FQI4N20LTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.35Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.13W (Ta), 45W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I2PAK (TO-262)

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

SIR410DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

4.2W (Ta), 36W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8

IRLD110PBF

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 600mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Pacchetto / Custodia

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