Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

FDW254P

FDW254P

Solo per riferimento

Numero parte FDW254P
PNEDA Part # FDW254P
Descrizione MOSFET P-CH 20V 9.2A 8-TSSOP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.938
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDW254P Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDW254P
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDW254P, FDW254P Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 161,9 KB)
PDFFDW254P Datasheet Copertura
FDW254P Datasheet Pagina 2 FDW254P Datasheet Pagina 3 FDW254P Datasheet Pagina 4 FDW254P Datasheet Pagina 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • FDW254P Datasheet
  • where to find FDW254P
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FDW254P
  • FDW254P PDF Datasheet
  • FDW254P Stock

  • FDW254P Pinout
  • Datasheet FDW254P
  • FDW254P Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FDW254P Price
  • FDW254P Distributor

FDW254P Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9.2A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs96nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5878pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.3W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

I prodotti a cui potresti essere interessato

R6004END3TL1

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

980mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

59W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

PSMN035-150B,118

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

79nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4720pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPW65R190E6FKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 730µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

73nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1620pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

151W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

DMT6016LPS-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

864pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.23W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI5060-8

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Produttore

IXYS

Serie

TrenchMV™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

152nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

550W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS-220SMD

Pacchetto / Custodia

PLUS-220SMD

Venduto di recente

LM2901M

LM2901M

ON Semiconductor

IC COMPARATOR QUAD 14-SOP

T491B106K025AT

T491B106K025AT

KEMET

CAP TANT 10UF 10% 25V 1411

74AVCH2T45DC,125

74AVCH2T45DC,125

Nexperia

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8VSSOP

FMMT593TA

FMMT593TA

Diodes Incorporated

TRANS PNP 100V 1A SOT23-3

EMZA250ADA101MF80G

EMZA250ADA101MF80G

United Chemi-Con

CAP ALUM 100UF 20% 25V SMD

LT3010EMS8E#TRPBF

LT3010EMS8E#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 50MA 8MSOP

MK64FN1M0VLL12

MK64FN1M0VLL12

NXP

IC MCU 32BIT 1MB FLASH 100LQFP

XC6SLX9-2TQG144C

XC6SLX9-2TQG144C

Xilinx

IC FPGA 102 I/O 144TQFP

CMS05(TE12L,Q,M)

CMS05(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE SCHOTTKY 30V 5A MFLAT

1410-L110-L1F1-S01-4A

1410-L110-L1F1-S01-4A

E-T-A

CIR BRKR THRM 4A 250VAC 50VDC

NC7SZ373P6X

NC7SZ373P6X

ON Semiconductor

IC LATCH UHS D 3-STATE SC70-6

FP1107R1-R51-R

FP1107R1-R51-R

Eaton - Electronics Division

FIXED IND 510NH 55A 0.29 MOHM