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FDS6982

FDS6982

Solo per riferimento

Numero parte FDS6982
PNEDA Part # FDS6982
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $4,2706
250 ---------- $4,0704
500 ---------- $3,8702
1.000 ---------- $3,6700
2.500 ---------- $3,5032
5.000 ---------- $3,3364
Disponibile 23.267
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDS6982 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDS6982
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDS6982, FDS6982 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 133,4 KB)
PDFFDS6982 Datasheet Copertura
FDS6982 Datasheet Pagina 2 FDS6982 Datasheet Pagina 3 FDS6982 Datasheet Pagina 4 FDS6982 Datasheet Pagina 5 FDS6982 Datasheet Pagina 6 FDS6982 Datasheet Pagina 7 FDS6982 Datasheet Pagina 8 FDS6982 Datasheet Pagina 9

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FDS6982 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.3A, 8.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds760pF @ 10V
Potenza - Max900mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

450mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

27.6pF @ 16V

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-963

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-963

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 32V

Potenza - Max

1.29W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

UPA1764G-E1-A

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

NTMFD5C470NLT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta), 36A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 25V

Potenza - Max

3W (Ta), 24W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A, 18A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1605pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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