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FDS4488

FDS4488

Solo per riferimento

Numero parte FDS4488
PNEDA Part # FDS4488
Descrizione MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.466
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDS4488 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDS4488
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDS4488, FDS4488 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 239,51 KB)
PDFFDS4488 Datasheet Copertura
FDS4488 Datasheet Pagina 2 FDS4488 Datasheet Pagina 3 FDS4488 Datasheet Pagina 4 FDS4488 Datasheet Pagina 5 FDS4488 Datasheet Pagina 6 FDS4488 Datasheet Pagina 7

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FDS4488 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.9A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 5V
Vgs (massimo)±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds927pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

I prodotti a cui potresti essere interessato

FDA24N40F

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

400V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3030pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

235W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PN

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

AOTF16N50_002

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

IPI100N12S305AKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

SSM6J53FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 2.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

136mOhm @ 1A, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.6nC @ 4V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

568pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

ES6 (1.6x1.6)

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

AON2401

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 2.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 8A, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

650mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1465pF @ 4V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.8W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-DFN-EP (2x2)

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

Venduto di recente

MSS1P4-M3/89A

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 1A MICROSMP

SMCJ24A-13-F

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WSL1206R0250FEA18

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RES 25 MOHM 1% 1/2W 1206

VESD05A1B-02V-G-08

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Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 5V 11V SOD523

BLM18PG121SN1D

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Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

HX1188NLT

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Pulse Electronics Network

XFRMR MAGNETIC 1PORT 1:1 10/100

CS240610

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DIODE GP 600V 100A POWRBLOK

0451004.MR

0451004.MR

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FUSE BRD MNT 4A 125VAC/VDC 2SMD

DG641DY

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Vishay Siliconix

IC VIDEO SWITCH SPST 16SOIC

E-TEA3717DP

E-TEA3717DP

STMicroelectronics

IC MOTOR DRVR BIPOLAR 16POWERDIP

LTST-C191KRKT

LTST-C191KRKT

Lite-On Inc.

LED RED CLEAR SMD

C0805C102K2GECAUTO

C0805C102K2GECAUTO

KEMET

CAP CER 0805 1NF 200V C0G 10%