FDR6580
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Numero parte | FDR6580 |
PNEDA Part # | FDR6580 |
Descrizione | MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8 |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.158 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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FDR6580 Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | FDR6580 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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FDR6580 Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | PowerTrench® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.2A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 11.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3829pF @ 10V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSOT™-8 |
Pacchetto / Custodia | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) |
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