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FDPC8011S

FDPC8011S

Solo per riferimento

Numero parte FDPC8011S
PNEDA Part # FDPC8011S
Descrizione MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.046
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDPC8011S Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDPC8011S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDPC8011S, FDPC8011S Datasheet (Totale pagine: 18, Dimensioni: 681,55 KB)
PDFFDPC8011S Datasheet Copertura
FDPC8011S Datasheet Pagina 2 FDPC8011S Datasheet Pagina 3 FDPC8011S Datasheet Pagina 4 FDPC8011S Datasheet Pagina 5 FDPC8011S Datasheet Pagina 6 FDPC8011S Datasheet Pagina 7 FDPC8011S Datasheet Pagina 8 FDPC8011S Datasheet Pagina 9 FDPC8011S Datasheet Pagina 10 FDPC8011S Datasheet Pagina 11

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FDPC8011S Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C13A, 27A
Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1240pF @ 13V
Potenza - Max800mW, 900mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePowerclip-33

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EPC

Produttore

EPC

Serie

eGaN®

Tipo FET

3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

Funzione FET

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V, 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.7A, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

22pF @ 30V, 7pF @ 30V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

9-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

9-BGA (1.35x1.35)

SI1034CX-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

610mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

396mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 10V

Potenza - Max

220mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-89-6

IRF7379TR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A, 4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

NVMFD5C470NLWFT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta), 36A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 25V

Potenza - Max

3W (Ta), 24W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

SI4559ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A, 3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

665pF @ 15V

Potenza - Max

3.1W, 3.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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